Продукція > DIODES INC > DMG6602SVTQ-7
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7 Diodes Inc

dmg6602svtq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6602SVTQ-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 840mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 840mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG6602SVTQ-7 за ціною від 5.22 грн до 36.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 1257000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.10 грн
6000+5.75 грн
9000+5.72 грн
15000+5.34 грн
75000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3006000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814392.pdf Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+15.68 грн
50+10.12 грн
100+9.04 грн
148+6.13 грн
405+5.75 грн
1500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INC. DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.33 грн
51+16.34 грн
100+9.24 грн
500+7.82 грн
1500+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-3420132.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
на замовлення 450101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.94 грн
100+9.39 грн
1000+6.77 грн
3000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.82 грн
50+12.61 грн
100+10.85 грн
148+7.36 грн
405+6.90 грн
1500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 1259051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
15+21.61 грн
100+9.50 грн
500+7.74 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.