Продукція > DIODES INC > DMG6602SVTQ-7
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7 Diodes Inc

dmg6602svtq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6602SVTQ-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 840mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 840mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG6602SVTQ-7 за ціною від 5.37 грн до 39.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2781000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.05 грн
6000+6.50 грн
9000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.24 грн
6000+6.67 грн
9000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.55 грн
6000+6.96 грн
9000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.75 грн
6000+7.14 грн
9000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.92 грн
6000+6.94 грн
9000+6.58 грн
15000+5.81 грн
21000+5.59 грн
30000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814392.pdf Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.20 грн
500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.27 грн
23+17.74 грн
50+12.63 грн
100+10.95 грн
500+7.91 грн
1000+6.95 грн
1500+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.12 грн
14+22.11 грн
50+15.15 грн
100+13.14 грн
500+9.50 грн
1000+8.34 грн
1500+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
на замовлення 392681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.17 грн
18+20.74 грн
100+12.05 грн
500+9.59 грн
1000+8.36 грн
3000+5.91 грн
6000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 64618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.52 грн
15+21.82 грн
100+13.84 грн
500+9.76 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814392.pdf Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.25 грн
50+22.64 грн
100+14.20 грн
500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svtq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.