DMG6602SVTX-7 Diodes Zetex
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6602SVTX-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG6602SVTX-7 за ціною від 4.42 грн до 26.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6602SVTX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVTX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVTX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVTX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 145643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6602SVTX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 53392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6602SVTX-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMG6602SVTX-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2.4A Pulsed drain current: 25...-20A Power dissipation: 0.8W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 100/140mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13/9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVTX-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2.4A Pulsed drain current: 25...-20A Power dissipation: 0.8W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 100/140mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13/9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |