Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG6898LSD-13
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated

DMG6898LSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.52 грн
5000+15.86 грн
7500+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.28W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMG6898LSD-13 за ціною від 17.13 грн до 70.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6898LSD-13 DMG6898LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000148450_1-2541912.pdf MOSFETs MOSFET N-CHAN
на замовлення 37651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.06 грн
10+39.49 грн
100+23.57 грн
500+18.67 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13 DMG6898LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG6898LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.49 грн
10+42.02 грн
100+27.39 грн
500+19.80 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf DMG6898LSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.