Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG6898LSDQ-13
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated

DMG6898LSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+24.61 грн
5000+22.46 грн
12500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG6898LSDQ-13 за ціною від 20.11 грн до 79.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 DIODES INC. DMG6898LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.98 грн
500+24.00 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated DMG6898LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.28W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 24984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+54.09 грн
100+37.42 грн
500+29.35 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0000148450_1-2541912.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.27 грн
10+51.92 грн
100+31.29 грн
500+24.97 грн
1000+23.00 грн
2500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 DIODES INC. DMG6898LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.50 грн
17+49.88 грн
100+32.98 грн
500+24.00 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSD.pdf
DMG6898LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.98 грн
500+24.00 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSD.pdf
DMG6898LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.28W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 24984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.08 грн
10+54.09 грн
100+37.42 грн
500+29.35 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DIOD_S_A0000148450_1-2541912.pdf
DMG6898LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.27 грн
10+51.92 грн
100+31.29 грн
500+24.97 грн
1000+23.00 грн
2500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSD.pdf
DMG6898LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+79.50 грн
17+49.88 грн
100+32.98 грн
500+24.00 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.