Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG6898LSDQ-13
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated

DMG6898LSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.76 грн
5000+22.59 грн
12500+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.28W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції DMG6898LSDQ-13 за ціною від 21.41 грн до 76.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG6898LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 24984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+54.41 грн
100+37.64 грн
500+29.52 грн
1000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 DMG6898LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000148450_1-2541912.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.65 грн
10+54.32 грн
100+32.74 грн
500+26.12 грн
1000+24.06 грн
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6898LSD.pdf DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.