DMG6968U-7

DMG6968U-7 Diodes Incorporated


DMG6968U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 213000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.25 грн
6000+7.22 грн
9000+6.86 грн
15000+6.05 грн
21000+5.82 грн
30000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6968U-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG6968U-7 за ціною від 8.79 грн до 41.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6968U-7 DMG6968U-7 Diodes Incorporated DMG6968U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 214504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.18 грн
14+22.02 грн
100+13.97 грн
500+9.85 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7 DMG6968U-7 Diodes Incorporated DMG6968U.pdf MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 23831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.81 грн
14+23.62 грн
100+13.08 грн
500+9.85 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7 DMG6968U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009547734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.60 грн
50+25.35 грн
100+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7 DMG6968U.pdf
DMG6968U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 214504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.18 грн
14+22.02 грн
100+13.97 грн
500+9.85 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7 DMG6968U.pdf
DMG6968U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 23831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.81 грн
14+23.62 грн
100+13.08 грн
500+9.85 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7 DIOD-S-A0009547734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG6968U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.60 грн
50+25.35 грн
100+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.