Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

ds31758.pdf
Код товару: 190714
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMG6968UDM-7 за ціною від 8.62 грн до 49.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated ds31758.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 850mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
6000+10.05 грн
9000+9.58 грн
15000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 Diodes Zetex 107ds31758.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 Diodes Zetex 107ds31758.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.91 грн
6000+13.77 грн
9000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 Diodes Zetex 107ds31758.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.95 грн
6000+13.82 грн
9000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated ds31758.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 850mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.34 грн
11+27.18 грн
100+18.03 грн
500+13.78 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 DIODES INCORPORATED DMG6968UDM.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+49.89 грн
11+38.55 грн
13+33.59 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated DIODS21664_1-2541970.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL
на замовлення 6353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 DIODES INC. DIODS21664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 DIODES INC. DIODS21664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 ds31758.pdf
DMG6968UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 850mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.68 грн
6000+10.05 грн
9000+9.58 грн
15000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 107ds31758.pdf
DMG6968UDM-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 107ds31758.pdf
DMG6968UDM-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.91 грн
6000+13.77 грн
9000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 107ds31758.pdf
DMG6968UDM-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.95 грн
6000+13.82 грн
9000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 ds31758.pdf
DMG6968UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 850mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.34 грн
11+27.18 грн
100+18.03 грн
500+13.78 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM.pdf
DMG6968UDM-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+49.89 грн
11+38.55 грн
13+33.59 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DIODS21664_1-2541970.pdf
DMG6968UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs DUAL N-CHANNEL
на замовлення 6353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DIODS21664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG6968UDM-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDM-7 DIODS21664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG6968UDM-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.