DMG7401SFG-13 Diodes Incorporated
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG7401SFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -10.8A, On-state resistance: 25mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.3W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 58nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Pulsed drain current: -80A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMG7401SFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMG7401SFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMG7401SFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 |
товар відсутній |
|
| DMG7401SFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A |
товар відсутній |