Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG7401SFG-7
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated

DMG7401SFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.09 грн
4000+14.17 грн
6000+13.50 грн
10000+11.96 грн
14000+11.54 грн
20000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 940mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMG7401SFG-7 за ціною від 16.01 грн до 63.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG7401SFG-7 DMG7401SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG7401SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
на замовлення 27427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.51 грн
10+38.15 грн
100+24.69 грн
500+17.75 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-7 DMG7401SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG7401SFG-218710.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG7401SFG.pdf DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.