DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 940mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG7401SFGQ-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG7401SFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |