DMG7430LFGQ-13 Diodes Incorporated
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG7430LFGQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Pulsed drain current: 90A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 11A, On-state resistance: 15mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 26.7nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMG7430LFGQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMG7430LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Pulsed drain current: 90A Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMG7430LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
товар відсутній |
|
| DMG7430LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 3.5W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Pulsed drain current: 90A Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |