Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated

ds31788.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.54 грн
6000+12.09 грн
9000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 920mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN3030, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 920mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG8601UFG-7 за ціною від 12.31 грн до 65.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 DIODES INC. ds31788.pdf Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.17 грн
500+15.01 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated ds31788.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 62902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
10+30.47 грн
100+20.78 грн
500+15.36 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 DIODES INC. ds31788.pdf Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.51 грн
26+32.57 грн
100+21.17 грн
500+15.01 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated ds31788.pdf MOSFETs LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.64 грн
10+40.03 грн
100+22.64 грн
500+17.37 грн
1000+15.68 грн
3000+13.43 грн
6000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.17 грн
500+15.01 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 62902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.68 грн
10+30.47 грн
100+20.78 грн
500+15.36 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+52.51 грн
26+32.57 грн
100+21.17 грн
500+15.01 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.64 грн
10+40.03 грн
100+22.64 грн
500+17.37 грн
1000+15.68 грн
3000+13.43 грн
6000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.