DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated


ds31788.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.93 грн
10+ 36.27 грн
100+ 23.62 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 14.34 грн
3000+ 12.22 грн
9000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW, Mounting: SMD, Power dissipation: 920mW, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 8.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 27A, Case: U-DFN3030-8, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 5.2A, On-state resistance: 34mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції DMG8601UFG-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31788.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
на замовлення 5342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31788.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG8601UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31788.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 920mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG8601UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31788.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 920mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній