DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.10 грн |
| 6000+ | 12.59 грн |
| 9000+ | 12.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 920mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN3030, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 920mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG8601UFG-7 за ціною від 12.34 грн до 66.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG8601UFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.017 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 920mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 920mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG8601UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 920mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 |
на замовлення 62902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG8601UFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.017 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 920mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 920mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG8601UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs LDO POSITIVE REG 2.7V/1A |
на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMG8601UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW Polarisation: unipolar Gate charge: 8.8nC On-state resistance: 34mΩ Power dissipation: 920mW Drain current: 5.2A Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: U-DFN3030-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMG8601UFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW Polarisation: unipolar Gate charge: 8.8nC On-state resistance: 34mΩ Power dissipation: 920mW Drain current: 5.2A Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: U-DFN3030-8 |
товару немає в наявності |