DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 43.52 грн |
| 10+ | 36.79 грн |
| 100+ | 23.92 грн |
| 500+ | 18.77 грн |
| 1000+ | 14.54 грн |
| 2500+ | 12.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Case: TSSOP8, Gate charge: 9.6nC, On-state resistance: 37mΩ, Power dissipation: 0.87W, Drain current: 3.9A, Gate-source voltage: ±8V, Drain-source voltage: 20V, Pulsed drain current: 31A, Kind of package: 13 inch reel; tape.
Інші пропозиції DMG8822UTS-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG8822UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP |
товару немає в наявності |
|
| DMG8822UTS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TSSOP8 Gate charge: 9.6nC On-state resistance: 37mΩ Power dissipation: 0.87W Drain current: 3.9A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 31A Kind of package: 13 inch reel; tape |
товару немає в наявності |