
DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 41.53 грн |
10+ | 35.11 грн |
100+ | 22.82 грн |
500+ | 17.91 грн |
1000+ | 13.87 грн |
2500+ | 11.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 3.9A, Pulsed drain current: 31A, Power dissipation: 0.87W, Case: TSSOP8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 37mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 9.6nC, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMG8822UTS-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
DMG8822UTS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 0.87W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
DMG8822UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
|
DMG8822UTS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 0.87W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |