DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.12 грн |
| 10+ | 34.33 грн |
| 100+ | 22.16 грн |
| 500+ | 15.88 грн |
| 1000+ | 14.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 3.9A, Pulsed drain current: 31A, Power dissipation: 0.87W, Case: TSSOP8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 37mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 9.6nC, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMG8822UTS-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG8822UTS-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMG8822UTS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)