Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DMG9926UDM-7 за ціною від 12.88 грн до 64.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG9926UDM-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG9926UDM-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG9926UDM-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG9926UDM-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG9926UDM-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG9926UDM-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 38416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG9926UDM-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
DMG9926UDM-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 980mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 980mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DMG9926UDM-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 980mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 980mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.29 грн |
| 9000+ | 12.88 грн |
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.53 грн |
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.60 грн |
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 421+ | 33.67 грн |
| 470+ | 30.12 грн |
| 475+ | 29.81 грн |
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 58.12 грн |
| 18+ | 42.31 грн |
| 25+ | 33.67 грн |
| 100+ | 29.04 грн |
| 250+ | 26.62 грн |
| 500+ | 13.33 грн |
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 38416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.27 грн |
| 10+ | 38.64 грн |
| 25+ | 32.24 грн |
| 50+ | 26.56 грн |
| 100+ | 23.41 грн |
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG9926UDM-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)