DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 980mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG9926UDM-7 за ціною від 8.7 грн до 36.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 79378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A |
на замовлення 11830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG9926UDM-7 Код товару: 184263 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMG9926UDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.98W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMG9926UDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.98W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
DMG9926UDM-7 Код товару: 184264 |
Мікросхеми > Аналогові |
товар відсутній
|