Продукція > DMG > DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7

ds31770.pdf
Код товару: 184263
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMG9926UDM-7 за ціною від 9.28 грн до 52.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated ds31770.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.61 грн
6000+9.37 грн
9000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Zetex ds31770.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
763+12.00 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 763 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Zetex ds31770.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1176+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 1176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Zetex ds31770.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated ds31770.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 41871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.58 грн
10+31.57 грн
100+20.37 грн
500+14.59 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated ds31770.pdf MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.61 грн
6000+9.37 грн
9000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
763+12.00 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 763 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1176+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 1176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 41871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.58 грн
10+31.57 грн
100+20.37 грн
500+14.59 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 ds31770.pdf
DMG9926UDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.