на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 9.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG9933USD-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.15W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608.4pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG9933USD-13 за ціною від 7.76 грн до 50.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG9933USD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608.4pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG9933USD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608.4pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 51997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG9933USD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Dual MOSFE 20V VDSS 12V VGSS |
на замовлення 7827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG9933USD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG9933USD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG9933USD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |