Продукція > DIODES INCORPORATED > DMGD7N45SSD-13
DMGD7N45SSD-13

DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated

DMGD7N45SSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Power - Max: 1.64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 822500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.63 грн
5000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMGD7N45SSD-13 за ціною від 43.66 грн до 145.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated DMGD7N45SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Power - Max: 1.64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 823977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.68 грн
10+93.72 грн
100+63.55 грн
500+47.54 грн
1000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated DMGD7N45SSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 DIODES INC. DMGD7N45SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 DIODES INC. DMGD7N45SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
DMGD7N45SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Power - Max: 1.64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 823977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.68 грн
10+93.72 грн
100+63.55 грн
500+47.54 грн
1000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
DMGD7N45SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
DMGD7N45SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD.pdf
DMGD7N45SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.