Продукція > DIODES INCORPORATED > DMGD7N45SSD-13
DMGD7N45SSD-13

DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated

DMGD7N45SSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 822500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.92 грн
5000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMGD7N45SSD-13 за ціною від 44.83 грн до 157.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Виробник : DIODES INC. DMGD7N45SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.19 грн
500+54.95 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMGD7N45SSD.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 251V-500V
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.03 грн
10+106.60 грн
100+72.54 грн
500+63.78 грн
1000+50.32 грн
2500+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMGD7N45SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 823977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.61 грн
10+96.25 грн
100+65.26 грн
500+48.82 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 DMGD7N45SSD-13 Виробник : DIODES INC. DMGD7N45SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMGD7N45SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 450V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 450V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.64W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.63 грн
10+109.76 грн
100+74.19 грн
500+54.95 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMGD7N45SSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMGD7N45SSD.pdf DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.