DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.93 грн |
| 6000+ | 34.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VDFN5045, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMHC10H170SFJ-13 за ціною від 34.13 грн до 134.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VDFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC10H170SFJ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.9 A, 2.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.111ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VDFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.111ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge |
на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 Part Status: Active |
на замовлення 42007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMHC10H170SFJ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2.9A/2.3A 12-Pin VDFN EP T/R |
товару немає в наявності |