DMHC3025LSD-13


DMHC3025LSD.pdf
Код товару: 181374
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Мікросхеми > Транзисторні збірки

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMHC3025LSD-13 за ціною від 17.89 грн до 99.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC3025LSD.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.77 грн
5000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : Diodes Zetex 1259740704270563dmhc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : DIODES INC. DMHC3025LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC3025LSD.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
на замовлення 55260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.64 грн
10+55.12 грн
100+31.70 грн
500+24.93 грн
1000+22.52 грн
2500+18.65 грн
5000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC3025LSD.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.24 грн
10+56.27 грн
100+37.17 грн
500+27.18 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : DIODES INC. DMHC3025LSD.pdf Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.92 грн
50+62.61 грн
100+41.34 грн
500+29.93 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : Diodes Zetex 1259740704270563dmhc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Виробник : Diodes Zetex 1259740704270563dmhc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSD-13 Виробник : Diodes Inc./Zetex DMHC3025LSD.pdf MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.