DMHC3025LSDQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHC3025LSDQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMHC3025LSDQ-13 за ціною від 23.84 грн до 78.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFETs 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP |
на замовлення 7329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |