Продукція > DIODES INC. > DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13 DIODES INC.


DIOD-S-A0004567247-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMHC4035LSDQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.065ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMHC4035LSDQ-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ-13 Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004567247-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13 DIOD-S-A0004567247-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.