DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13 Diodes Incorporated


DMHC4035LSDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMHC4035LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 1.5W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMHC4035LSDQ-13 за ціною від 30.10 грн до 132.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 56669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.33 грн
10+75.42 грн
100+50.49 грн
500+37.36 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.79 грн
10+82.71 грн
100+47.48 грн
500+38.34 грн
1000+34.15 грн
2500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.