DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated


DMHC6070LSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 1.6W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMHC6070LSD-13 за ціною від 26.53 грн до 124.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC6070LSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 11437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
10+75.24 грн
100+43.78 грн
500+34.56 грн
1000+31.56 грн
2500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13 DMHC6070LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHC6070LSD.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.12 грн
10+76.10 грн
100+50.99 грн
500+37.75 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.