DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 143.06 грн |
| 500+ | 110.05 грн |
| 1000+ | 95.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C).
Інші пропозиції DMHT10H032LFJ-13 за ціною від 31.62 грн до 221.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045-12 T and R 3K |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Transistors - Unclassified Description: DMHT10H032LFJ-13 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|