DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 147.35 грн |
| 500+ | 110.26 грн |
| 1000+ | 95.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: DFN5045, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, Verlustleistung: 900mW, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, usEccn: EAR99, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 900mW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMHT10H032LFJ-13 за ціною від 32.37 грн до 227.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 12Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN5045 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm Verlustleistung: 900mW rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds: 100V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm Dauer-Drainstrom Id: 6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm usEccn: EAR99 isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 900mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045-12 T and R 3K |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|