DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated
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Технічний опис DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, usEccn: EAR99, Bauform - Transistor: DFN5045, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, Verlustleistung: 900mW, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Drain-Source-Spannung Vds: 100V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 900mW, euEccn: NLR.
Інші пропозиції DMHT10H032LFJ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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DMHT10H032LFJ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohmtariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 12Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - usEccn: EAR99 Bauform - Transistor: DFN5045 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm Verlustleistung: 900mW rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 900mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Drain-Source-Spannung Vds: 100V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm Dauer-Drainstrom Id: 6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 900mW euEccn: NLR |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMHT10H032LFJ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
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| DMHT10H032LFJ-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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Verlustleistung Pd: 900mW
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Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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Verlustleistung Pd: 900mW
euEccn: NLR
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMHT10H032LFJ-13 |
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Виробник: DIODES INC.
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Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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