DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.27 грн |
| 10+ | 171.45 грн |
| 100+ | 121.66 грн |
| 500+ | 106.19 грн |
| 1000+ | 97.05 грн |
| 3000+ | 29.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C).
Інші пропозиції DMHT10H032LFJ-13 за ціною від 51.96 грн до 51.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMHT10H032LFJ-13 | DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 6A On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.9nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| DMHT10H032LFJ-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.9nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.9nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 51.96 грн |