DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.64 грн |
| 6000+ | 34.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN5045, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMHT3006LFJ-13 за ціною від 31.15 грн до 137.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMHT3006LFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMHT3006LFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMHT3006LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 9587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMHT3006LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) |
на замовлення 8760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | Виробник : Diodes Inc |
High Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W Case: V-DFN5045-12 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W Case: V-DFN5045-12 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |