Продукція > DIODES INC. > DMHT3006LFJ-13
DMHT3006LFJ-13

DMHT3006LFJ-13 DIODES INC.

DMHT3006LFJ.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.23 грн
500+49.00 грн
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMHT3006LFJ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN5045, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMHT3006LFJ-13 за ціною від 31.61 грн до 110.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ-13 Виробник : DIODES INC. DMHT3006LFJ.pdf Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.13 грн
11+80.05 грн
100+62.23 грн
500+49.00 грн
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHT3006LFJ.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.75 грн
10+72.01 грн
100+51.44 грн
500+39.50 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHT3006LFJ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.11 грн
10+78.18 грн
100+48.57 грн
500+40.51 грн
1000+37.14 грн
3000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13 Виробник : Diodes Inc dmht3006lfj.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13 DMHT3006LFJ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHT3006LFJ.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMHT3006LFJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: V-DFN5045-12
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.