Продукція > DIODES INCORPORATED > DMHT6016LFJ-13
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated

DMHT6016LFJ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.47 грн
6000+44.66 грн
9000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN5045-12, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V.

Інші пропозиції DMHT6016LFJ-13 за ціною від 45.88 грн до 172.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHT6016LFJ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.00 грн
10+106.00 грн
100+63.05 грн
500+50.21 грн
1000+48.39 грн
3000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMHT6016LFJ.pdf Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
на замовлення 12983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.04 грн
10+106.66 грн
100+72.73 грн
500+54.64 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.