DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 50.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN5045, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMHT6016LFJ-13 за ціною від 48.56 грн до 175.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMHT6016LFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMHT6016LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 7007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMHT6016LFJ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMHT6016LFJ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 Part Status: Active |
на замовлення 25928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: V-DFN5045-12 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: V-DFN5045-12 |
товару немає в наявності |