DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3 Diodes Inc


dmj70h900hj3.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 700V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMJ70H900HJ3 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 700V 7A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMJ70H900HJ3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMJ70H900HJ3 DMJ70H900HJ3 Виробник : Diodes Incorporated DMJ70H900HJ3.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 7A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMJ70H900HJ3 DMJ70H900HJ3 Виробник : Diodes Inc. / Pericom DMJ70H900HJ3-1019763.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 651V-800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.