DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated


DMJ7N70SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 50 V
на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.55 грн
10+ 80.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMJ7N70SK3-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMJ7N70SK3-13 DMJ7N70SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011809391_1-2543744.pdf MOSFET Transistor PNP 30Vceo
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMJ7N70SK3-13 DMJ7N70SK3-13 Виробник : Diodes Inc dmj7n70sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMJ7N70SK3-13 DMJ7N70SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMJ7N70SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 50 V
товар відсутній