DMMT3906W-7-f DIODES INCORPORATED


DMMT3906W.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.29 грн
22+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMMT3906W-7-f DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMMT3906W-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 40 V, 200 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMMT3906W-7-f

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMMT3906W-7-f DMMT3906W-7-f Diodes Incorporated ds30312.pdf Bipolar Transistors - BJT -40V 225mW MATCHED
на замовлення 100480 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906W-7-F DMMT3906W-7-F DIODES INC. ds30312.pdf Description: DIODES INC. - DMMT3906W-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 40 V, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906W-7-f ds30312.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT -40V 225mW MATCHED
на замовлення 100480 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906W-7-F ds30312.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMMT3906W-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 40 V, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.