Продукція > DIODES ZETEX > DMMT5551-7-F
DMMT5551-7-F

DMMT5551-7-F Diodes Zetex

ds30436.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMMT5551-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Інші пропозиції DMMT5551-7-F за ціною від 3.79 грн до 28.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Inc ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.69 грн
9000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.01 грн
6000+ 5.66 грн
9000+ 5.01 грн
30000+ 4.64 грн
75000+ 3.95 грн
150000+ 3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.96 грн
6000+ 6.37 грн
12000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : DIODES INC. ds30436.pdf Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.49 грн
500+ 6.6 грн
1500+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
702+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 702
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+18.45 грн
44+ 7.91 грн
100+ 6.94 грн
132+ 6.09 грн
363+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+21.84 грн
35+ 16.91 грн
38+ 15.46 грн
100+ 8.12 грн
250+ 7.44 грн
500+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.14 грн
27+ 9.85 грн
100+ 8.32 грн
132+ 7.3 грн
363+ 6.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : DIODES INC. ds30436.pdf Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+22.26 грн
50+ 15.91 грн
100+ 9.49 грн
500+ 6.6 грн
1500+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 34
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 344637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.37 грн
15+ 18.59 грн
100+ 9.38 грн
500+ 7.8 грн
1000+ 6.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30436.pdf Bipolar Transistors - BJT MATCHED NPN
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.2 грн
16+ 19.45 грн
100+ 7.86 грн
1000+ 5.93 грн
3000+ 5.26 грн
9000+ 4.86 грн
24000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній