DMMT5551-7-F


ds30436.pdf
Код товару: 203594
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMMT5551-7-F за ціною від 6.73 грн до 223.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.09 грн
100+10.78 грн
500+7.56 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F Diodes Incorporated ds30436.pdf Bipolar Transistors - BJT MATCHED NPN
на замовлення 52155 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F ds30436.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
18+17.09 грн
100+10.78 грн
500+7.56 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DMMT5551.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F ds30436.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT MATCHED NPN
на замовлення 52155 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMMT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.