Продукція > DIODES ZETEX > DMMT5551S-7-F
DMMT5551S-7-F

DMMT5551S-7-F Diodes Zetex

ds30436.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMMT5551S-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMMT5551S-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMMT5551S-7-F за ціною від 4.06 грн до 32.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.91 грн
6000+6.03 грн
9000+5.71 грн
15000+5.03 грн
21000+4.83 грн
30000+4.63 грн
75000+4.14 грн
150000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551S-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.62 грн
500+7.61 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS10849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMMT5551S-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.31 грн
50+16.51 грн
100+8.62 грн
500+7.61 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30436.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.60 грн
21+16.50 грн
100+7.47 грн
1000+6.74 грн
3000+5.27 грн
9000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 188863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.47 грн
17+18.76 грн
100+11.87 грн
500+8.32 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : Diodes Zetex ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : Diodes Inc ds30436.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.