Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN1001UCA10-7
DMN1001UCA10-7

DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated

DMN1001UCA10.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.91 грн
6000+20.43 грн
9000+19.60 грн
15000+17.52 грн
21000+17.00 грн
30000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-TSN1820, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN1001UCA10-7 за ціною від 23.76 грн до 89.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated DMN1001UCA10.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 110219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.25 грн
100+35.80 грн
500+26.15 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009645363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated diod_s_a0009645363_1-2265306.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009645363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
DMN1001UCA10-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 110219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.25 грн
100+35.80 грн
500+26.15 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DIOD-S-A0009645363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN1001UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 diod_s_a0009645363_1-2265306.pdf
DMN1001UCA10-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DIOD-S-A0009645363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN1001UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.