DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.74 грн |
| 6000+ | 22.06 грн |
| 9000+ | 21.16 грн |
| 15000+ | 19.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 3190 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3190µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-TSN1820, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3190µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN1001UCA10-7 за ціною від 20.07 грн до 97.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1001UCA10-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 3190 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3190µohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-TSN1820 Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3190µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1001UCA10-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 3190 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3190µohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-TSN1820 Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3190µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1001UCA10-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1001UCA10-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA Supplier Device Package: X2-TSN1820-10 |
на замовлення 80929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN1001UCA10-7 | Виробник : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |