Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN1001UCA10-7
DMN1001UCA10-7

DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated

DMN1001UCA10.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.18 грн
6000+20.67 грн
9000+19.82 грн
15000+17.72 грн
21000+17.19 грн
30000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-TSN1820, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMN1001UCA10-7 за ціною від 24.03 грн до 90.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated DMN1001UCA10.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 110219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+54.87 грн
100+36.21 грн
500+26.45 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated diod-s-a0009645363-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 DIODES INC. DMN1001UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7 DIODES INC. DMN1001UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 Diodes Zetex dmn1001uca10.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
DMN1001UCA10-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
на замовлення 110219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.92 грн
10+54.87 грн
100+36.21 грн
500+26.45 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 diod-s-a0009645363-1.pdf
DMN1001UCA10-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
DMN1001UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
DMN1001UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 dmn1001uca10.pdf
Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.