DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.67W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X3-DSN3518-6.
Інші пропозиції DMN1003UCA6-7 за ціною від 22.64 грн до 66.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.67W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN3518-6 |
на замовлення 8990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN1003UCA6-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.50 грн |
| 10+ | 49.52 грн |
| 100+ | 36.34 грн |
| 500+ | 28.65 грн |
| 1000+ | 25.91 грн |
| DMN1003UCA6-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.29 грн |
| 10+ | 53.05 грн |
| 100+ | 33.90 грн |
| 500+ | 28.55 грн |
| 1000+ | 25.88 грн |
| 3000+ | 22.64 грн |