DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7 Diodes Zetex


dmn1004ufdf.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1004UFDF-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN1004UFDF-7 за ціною від 10.81 грн до 47.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.61 грн
6000+12.44 грн
9000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN1004UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.79 грн
500+15.86 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
10+33.18 грн
100+23.11 грн
500+16.93 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691073_1-2543155.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 11235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.09 грн
10+34.35 грн
100+21.85 грн
500+17.07 грн
1000+13.83 грн
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN1004UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.37 грн
26+31.86 грн
100+21.79 грн
500+15.86 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn1004ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Виробник : Diodes Zetex dmn1004ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1004UFDF.pdf DMN1004UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.