Продукція > DIODES ZETEX > DMN1004UFDF-7
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7 Diodes Zetex

dmn1004ufdf.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1004UFDF-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN1004UFDF-7 за ціною від 8.81 грн до 61.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Diodes Incorporated DMN1004UFDF.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+41.25 грн
11+28.13 грн
100+18.46 грн
500+14.09 грн
1000+12.52 грн
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 Diodes Incorporated DMN1004UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.84 грн
10+37.29 грн
25+31.12 грн
50+25.64 грн
100+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 DIODES INC. DMN1004UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF-7 DIODES INC. DMN1004UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
DMN1004UFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.25 грн
11+28.13 грн
100+18.46 грн
500+14.09 грн
1000+12.52 грн
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
DMN1004UFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.84 грн
10+37.29 грн
25+31.12 грн
50+25.64 грн
100+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
DMN1004UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
DMN1004UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 4100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.