на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1004UFV-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V.
Інші пропозиції DMN1004UFV-13 за ціною від 10.2 грн до 39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1004UFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN1004UFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V |
на замовлення 92885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN1004UFV-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMN1004UFV-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMN1004UFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 50A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
DMN1004UFV-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMN1004UFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 50A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |