Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN1004UFV-7
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated

DMN1004UFV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 194000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+12.71 грн
4000+11.20 грн
6000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN1004UFV-7 за ціною від 12.05 грн до 63.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Zetex 18dmn1004ufv.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003108755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.68 грн
500+16.74 грн
2000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.72 грн
10+40.11 грн
12+35.53 грн
50+26.06 грн
57+16.34 грн
157+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003108755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.72 грн
20+44.13 грн
100+29.68 грн
500+16.74 грн
2000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFV.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 196140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.03 грн
10+35.45 грн
100+22.98 грн
500+16.52 грн
1000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.26 грн
6+49.98 грн
10+42.64 грн
50+31.27 грн
57+19.61 грн
157+18.48 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003108755_1-2542228.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 12966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.85 грн
10+42.89 грн
100+24.79 грн
500+19.03 грн
1000+16.75 грн
2000+13.19 грн
4000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Zetex 18dmn1004ufv.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Inc 18dmn1004ufv.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.