DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED


DMN1004UFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 166 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.31 грн
10+42.19 грн
12+36.90 грн
50+25.55 грн
100+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V.

Інші пропозиції DMN1004UFV-7 за ціною від 10.06 грн до 67.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 12783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.55 грн
10+35.89 грн
100+20.67 грн
500+15.78 грн
1000+14.24 грн
2000+10.96 грн
4000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1004UFV.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.56 грн
10+40.62 грн
100+26.42 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.