на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.32 грн |
| 10+ | 65.28 грн |
| 100+ | 38.80 грн |
| 500+ | 32.39 грн |
| 1000+ | 27.63 грн |
| 3000+ | 20.38 грн |
| 6000+ | 19.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X3-DSN2718-6.
Інші пропозиції DMN1006UCA6-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN1006UCA6-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
DMN1006UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 |
товару немає в наявності |
|
|
|
DMN1006UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 |
товару немає в наявності |