Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated

Name: DMN1006UCA6-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 148778-4
Price: 208.23 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	69.41 грн
10+	56.41 грн
100+	33.53 грн
500+	27.98 грн
1000+	23.87 грн
3000+	17.61 грн
6000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 31-40 дні (днів)

Мінімальна партія: 3 шт

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X3-DSN2718-6.

Інші пропозиції DMN1006UCA6-7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DMN1006UCA6-7	Diodes Zetex	Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN1006UCA6-7

Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.