
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 80.29 грн |
10+ | 65.26 грн |
100+ | 38.79 грн |
500+ | 32.37 грн |
1000+ | 27.62 грн |
3000+ | 20.37 грн |
6000+ | 19.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X3-DSN2718-6.
Інші пропозиції DMN1006UCA6-7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
DMN1006UCA6-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||
DMN1006UCA6-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
DMN1006UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DMN1006UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 |
товару немає в наявності |