Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN1008UFDF-13
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13 Diodes Incorporated

DMN1008UFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.56 грн
20000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1008UFDF-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN1008UFDF-13 за ціною від 8.29 грн до 43.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1008UFDF-13 DMN1008UFDF-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN1008UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.61 грн
12+26.10 грн
100+16.66 грн
500+11.82 грн
1000+10.59 грн
2000+9.55 грн
5000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13 Виробник : Diodes DMN1008UFDF.pdf MOSFET N-CH30V SC-59 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13 DMN1008UFDF-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN1008UFDF.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.