DMN1008UFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 0.0066 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.98 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| 1000+ | 7.99 грн |
| 5000+ | 7.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1008UFDF-7 DIODES INC.
Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN1008UFDF-7 за ціною від 7.29 грн до 40.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN1008UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 0.0066 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1008UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 52532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1008UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMN1008UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 65425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DMN1008UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN1008UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN1008UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 1W |
товару немає в наявності |