Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN1008UFDF-7
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7 Diodes Incorporated

DMN1008UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.80 грн
6000+8.62 грн
9000+8.20 грн
15000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1008UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN1008UFDF-7 за ціною від 8.04 грн до 44.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : DIODES INC. 3199738.pdf Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.33 грн
500+11.75 грн
1000+9.74 грн
5000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : DIODES INC. 3199738.pdf Description: DIODES INC. - DMN1008UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12.2 A, 6600 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.39 грн
45+19.19 грн
100+18.33 грн
500+11.75 грн
1000+9.74 грн
5000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865613_1-2543531.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 52532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.72 грн
12+31.59 грн
100+17.65 грн
500+13.50 грн
1000+11.74 грн
3000+9.90 грн
6000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1008UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.82 грн
13+26.38 грн
100+16.86 грн
500+11.96 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn1008ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.