DMN1008UFDFQ-7 Diodes Incorporated
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.10 грн |
| 13+ | 28.17 грн |
| 100+ | 16.70 грн |
| 1000+ | 9.34 грн |
| 3000+ | 7.72 грн |
| 9000+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1008UFDFQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN1008UFDFQ-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN1008UFDFQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
 MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товару немає в наявності |
||
 |
DMN1008UFDFQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |