DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7 Diodes Incorporated


Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A
на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.54 грн
10+50.07 грн
100+32.45 грн
500+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1016UCB6-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 920mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-WLB1510-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V.

Інші пропозиції DMN1016UCB6-7 за ціною від 18.03 грн до 71.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1016UCB6-7 DMN1016UCB6-7 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.02 грн
10+42.60 грн
100+27.68 грн
500+19.97 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1016UCB6-7 DMN1016UCB6-7 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.