
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 66.15 грн |
10+ | 40.45 грн |
100+ | 22.82 грн |
500+ | 17.43 грн |
1000+ | 15.77 грн |
3000+ | 13.11 грн |
6000+ | 12.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V, Power Dissipation (Max): 1.47W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X3-DSN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V.
Інші пропозиції DMN1017UCP3-7 за ціною від 11.59 грн до 65.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN1017UCP3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V Power Dissipation (Max): 1.47W Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X3-DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V |
на замовлення 648000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN1017UCP3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V Power Dissipation (Max): 1.47W Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X3-DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V |
на замовлення 650477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|