DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated


DMN1017UCP3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 2857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.15 грн
10+40.45 грн
100+22.82 грн
500+17.43 грн
1000+15.77 грн
3000+13.11 грн
6000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V, Power Dissipation (Max): 1.47W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X3-DSN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V.

Інші пропозиції DMN1017UCP3-7 за ціною від 11.59 грн до 65.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1017UCP3-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1017UCP3.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V
на замовлення 648000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.49 грн
6000+13.94 грн
9000+13.56 грн
15000+11.84 грн
21000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1017UCP3-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1017UCP3.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V
на замовлення 650477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.59 грн
10+39.40 грн
100+25.50 грн
500+18.34 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.