DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V
на замовлення 648000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.03 грн |
| 6000+ | 13.53 грн |
| 9000+ | 13.17 грн |
| 15000+ | 11.49 грн |
| 21000+ | 11.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1017UCP3-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V, Power Dissipation (Max): 1.47W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X3-DSN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V.
Інші пропозиції DMN1017UCP3-7 за ціною від 13.17 грн до 63.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN1017UCP3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN1017UCP3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V Power Dissipation (Max): 1.47W Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X3-DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V |
на замовлення 650477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|