DMN1019USN-13

DMN1019USN-13 Diodes Incorporated


DMN1019USN.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+7.12 грн
30000+ 6.75 грн
50000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1019USN-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 680mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680mW, Bauform - Transistor: SC-59, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN1019USN-13 за ціною від 6.4 грн до 37.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : Diodes Zetex dmn1019usn.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : DIODES INC. 2814395.pdf Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.78 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 7.84 грн
2500+ 7.4 грн
5000+ 7.14 грн
10000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : Diodes Zetex dmn1019usn.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
602+19.1 грн
870+ 13.22 грн
880+ 13.07 грн
888+ 12.49 грн
1301+ 7.89 грн
3000+ 7.41 грн
6000+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 602
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : Diodes Zetex dmn1019usn.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+25.47 грн
28+ 20.79 грн
33+ 17.73 грн
100+ 11.84 грн
250+ 10.84 грн
500+ 10.31 грн
1000+ 7.03 грн
3000+ 6.88 грн
6000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN1019USN.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 59248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.84 грн
13+ 22.86 грн
100+ 13.71 грн
500+ 11.91 грн
1000+ 8.1 грн
2000+ 7.46 грн
5000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN1019USN.pdf MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
на замовлення 71234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.41 грн
13+ 24.86 грн
100+ 12 грн
1000+ 7.49 грн
2500+ 7.23 грн
10000+ 7.16 грн
100000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : DIODES INC. 2814395.pdf Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.19 грн
26+ 29.08 грн
100+ 17.78 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 7.84 грн
2500+ 7.4 грн
5000+ 7.14 грн
10000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN1019USN-13
Код товару: 121899
DMN1019USN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : Diodes Inc dmn1019usn.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN1019USN-13 DMN1019USN-13 Виробник : Diodes Zetex dmn1019usn.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN1019USN-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1019USN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1019USN-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN1019USN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній