DMN1019UVT-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 7.46 грн |
| 20000+ | 6.64 грн |
| 30000+ | 6.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1019UVT-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN1019UVT-13 за ціною від 8.29 грн до 8.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1019UVT-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
DMN1019UVT-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
DMN1019UVT-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 12V Enh Mode FET |
товару немає в наявності |
|||||
 |
DMN1019UVT-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26 Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 13 inch reel; tape Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Pulsed drain current: 70A Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 50.4nC On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 1.11W Drain current: 10.1A |
товару немає в наявності |