на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.63 грн |
| 9000+ | 7.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1019UVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.73W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN1019UVT-7 за ціною від 7.37 грн до 40.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1019UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1019UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.73W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V |
на замовлення 26777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1019UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 12V Enh Mode FET |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1019UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.73W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1019UVT-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN1019UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.11W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN1019UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.11W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |