DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 16.93 грн |
| 31+ | 12.73 грн |
| 50+ | 10.53 грн |
| 100+ | 9.51 грн |
| 124+ | 7.47 грн |
| 340+ | 7.07 грн |
| 1000+ | 6.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: U-DFN2020-6, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23.1nC, On-state resistance: 38mΩ, Power dissipation: 1.7W, Drain current: 5.5A, Gate-source voltage: ±10V, Drain-source voltage: 12V, Pulsed drain current: 35A, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMN1025UFDB-7 за ціною від 6.26 грн до 40.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN1025UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Gate charge: 23.1nC On-state resistance: 38mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 5.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Pulsed drain current: 35A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
на замовлення 5116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |