DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 23.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 17.86 грн |
| 31+ | 13.43 грн |
| 50+ | 11.11 грн |
| 100+ | 10.03 грн |
| 500+ | 7.54 грн |
| 1000+ | 7.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Pulsed drain current: 35A, Power dissipation: 1.7W, Gate charge: 23.1nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 5.5A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 12V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±10V, Kind of package: 7 inch reel; tape, Case: U-DFN2020-6, On-state resistance: 38mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції DMN1025UFDB-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1025UFDB-7 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN1025UFDB-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)