DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 16.51 грн |
| 31+ | 12.41 грн |
| 50+ | 10.27 грн |
| 100+ | 9.27 грн |
| 124+ | 7.28 грн |
| 340+ | 6.90 грн |
| 1000+ | 6.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Drain-source voltage: 12V, Drain current: 5.5A, On-state resistance: 38mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 7 inch reel; tape, Gate charge: 23.1nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 35A, Mounting: SMD, Case: U-DFN2020-6, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMN1025UFDB-7 за ціною від 6.55 грн до 31.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN1025UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.5A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 23.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 35A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |