DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 18.23 грн |
| 31+ | 13.71 грн |
| 50+ | 11.34 грн |
| 100+ | 10.24 грн |
| 500+ | 7.70 грн |
| 1000+ | 7.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: U-DFN2020-6, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23.1nC, On-state resistance: 38mΩ, Power dissipation: 1.7W, Drain current: 5.5A, Gate-source voltage: ±10V, Drain-source voltage: 12V, Pulsed drain current: 35A, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMN1025UFDB-7 за ціною від 8.44 грн до 52.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1025UFDB-7 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN1025UFDB-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.92 грн |
| 11+ | 29.84 грн |
| 100+ | 17.51 грн |
| 500+ | 15.61 грн |
| 3000+ | 9.21 грн |
| 6000+ | 8.58 грн |
| 9000+ | 8.44 грн |