DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 18.08 грн |
| 31+ | 13.60 грн |
| 50+ | 11.25 грн |
| 100+ | 10.16 грн |
| 500+ | 7.64 грн |
| 1000+ | 7.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Mounting: SMD, On-state resistance: 38mΩ, Power dissipation: 1.7W, Drain current: 5.5A, Gate-source voltage: ±10V, Drain-source voltage: 12V, Pulsed drain current: 35A, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: U-DFN2020-6, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23.1nC.
Інші пропозиції DMN1025UFDB-7 за ціною від 8.37 грн до 52.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|