DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.33 грн |
| 6000+ | 7.32 грн |
| 9000+ | 6.96 грн |
| 15000+ | 6.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN1029UFDB-7 за ціною від 7.32 грн до 39.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN1029UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1029UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN1029UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 128236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN1029UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC |
на замовлення 8359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN1029UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.4W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Drain current: 3.7A On-state resistance: 65mΩ Drain-source voltage: 12V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN1029UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.4W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Drain current: 3.7A On-state resistance: 65mΩ Drain-source voltage: 12V |
товару немає в наявності |