DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated


DMN1029UFDB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.91 грн
6000+8.70 грн
9000+8.28 грн
15000+7.32 грн
21000+7.05 грн
30000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN1029UFDB-7 за ціною від 6.82 грн до 43.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated DMN1029UFDB-3214088.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
на замовлення 8359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.67 грн
13+25.80 грн
100+14.42 грн
500+10.90 грн
1000+9.70 грн
3000+7.03 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated DMN1029UFDB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 69802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.51 грн
12+25.90 грн
100+16.56 грн
500+11.74 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB-3214088.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
на замовлення 8359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.67 грн
13+25.80 грн
100+14.42 грн
500+10.90 грн
1000+9.70 грн
3000+7.03 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 69802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.51 грн
12+25.90 грн
100+16.56 грн
500+11.74 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.