DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7 Diodes Incorporated


Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1033UCB4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.45W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: U-WLB1818-4.

Інші пропозиції DMN1033UCB4-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1033UCB4-7 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: U-WLB1818-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.