DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated


DMN1045UFR4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1010, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN1045UFR4-7 за ціною від 4.70 грн до 36.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7 Виробник : DIODES INC. DMN1045UFR4.pdf Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.10 грн
500+9.80 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1045UFR4.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.64 грн
16+19.68 грн
100+12.44 грн
500+8.74 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN1045UFR4.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
на замовлення 11952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
14+23.83 грн
100+9.32 грн
1000+7.25 грн
3000+5.46 грн
9000+4.97 грн
24000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7 Виробник : DIODES INC. DMN1045UFR4.pdf Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.18 грн
37+22.24 грн
100+14.10 грн
500+9.80 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.