Технічний опис DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R.
Інші пропозиції DMN10H099SFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN10H099SFG-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)