Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H099SFG-7
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated

DMN10H099SFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 980mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMN10H099SFG-7 за ціною від 17.32 грн до 72.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H099SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.81 грн
10+43.04 грн
100+33.01 грн
500+24.49 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H099SFG.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.44 грн
10+46.59 грн
100+27.23 грн
500+21.28 грн
1000+19.38 грн
2000+17.47 грн
4000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.