Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN10H099SFG-7
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated

DMN10H099SFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 980mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta).

Інші пропозиції DMN10H099SFG-7 за ціною від 19.12 грн до 49.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H099SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
10+42.01 грн
100+32.22 грн
500+23.90 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H099SFG.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG.pdf
DMN10H099SFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.59 грн
10+42.01 грн
100+32.22 грн
500+23.90 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG.pdf
DMN10H099SFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.